در این تحقیق لایه¬های نازک اکسید روی به با استفاده از روش لایه نشانی نهشت بخار شیمیایی در اتمسفر بر روی زیرلایه¬های شیشه ای در دماهای 450 تا 550 درجه سانتیگراد به منظور کاربرد در حسگر گاز اتانول نهشته گردیدند. دیگر شرایط لایه نشانی برای تمامی نمونه¬ها ثابت بوده است که عبارتند از : زمان لایه شانی که 2 دقیقه و میزان ماده که 1/0 گرم بوده است. الگوی پراش پرتو ایکس نمونه¬ها نشان از شدت گرفتن جهتگیری (100) با افزایش دمای زیر لایه دارد. بررسی تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی نشان می¬دهد که افزایش دمای زیر لایه ابتدا سبب بزرگ شدن دانه¬ها می شوند و این افزایش از دمای زیر لایه 525 درجه¬ی سانتیگراد متوقف شده و دانه¬ها شروع به کوچک شدن می¬کنند. همچنین میزان حساسیت نمونه¬ها به ازایppm2500 از گاز اتانول در دماهای 125 تا 410 درجه سانتیگراد مورد برسی قرار گرفت و بیشترین میزان حساسیت متعلق با نمونه¬ی تهیه شده در دمای لایه نشانی 450 درجه¬ی سانتیگراد با دمای کار 345 درجه¬سانتیگراد است.

روی اکسید لایه نازک نهشت بخار شیمیای حسگر گازی دمای کار اتانول